在刚刚完毕的“英特尔加速立异：制程工艺和封装技能线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）宣告了讲演，展现了一系列底层技能立异，这些技能将驱动英特尔到2025年甚至更远未来的新产品研讨开发。一起英特尔宣告，AWS将成为首个运用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户。
在这次线上发布会上，除了发布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的反面电能传输网络PowerVia之外，英特尔还要点介绍了敏捷选用下一代极紫外光刻（EUV）技能的方案，即高数值孔径（High-NA）EUV，英特尔还有望首先取得业界第一台High-NA EUV光刻机。现在英特尔正在加速制程工艺立异的道路年制程功能再度抢先业界。
英特尔表明，从1997年开端，根据纳米的传统制程节点命名办法，已不再与晶体管实践的栅极长度相对应。跟着IDM 2.0战略中，英特尔代工服务（IFS）的推出，英特尔决定为其制程节点引入了全新的命名系统，创立一个明晰并且共同的结构，以协助客户对整个职业的制程节点有更明晰和精确的认知。
该制程节点上，将为面向客户端的Alder Lake和面向数据中心的Sapphire Rapids系列处理器供给动力。前者会在2021年内发布，后者则是2022年第一季度。英特尔表明，根据FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10nm SuperFin比较，每瓦功能将提高约10%-15%。
这是英特尔十分介意的一个制程节点，会为包含Ponte Vecchio、客户端的Meteor Lake和数据中心的Granite Rapids在内的多款产品供给动力。英特尔表明该制程节点选用EUV光刻技能，可运用超短波长的光，刻印极微小的图样，每瓦功能约20%的提高以及芯片面积的改善，可应用下一代Foveros和EMIB封装技能，将在2022年下半年投产，相关这类的产品会在2023年出货。
英特尔表明，该制程节点将在2023年下半年做好出产预备。凭仗FinFET的逐渐优化和在更多工序中增加对EUV运用，比较Intel 4在每瓦功能上完成约18%的提高，在芯片面积上也会有额定改善。
英特尔表明，将凭仗RibbonFET和PowerVia两大突破性技能敞开埃米年代。其间RibbonFET是对Gate All Around晶体管的完成，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技能加速了晶体管开关速度，一起完成与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个反面电能传输网络，经过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
估计Intel 20A将会在2024年推出，在该制程节点技能上，英特尔还会与高通进行协作。
在Intel 20A基础上，英特尔会对RibbonFET进行改善，估计2025年初会推出Intel 18A，在晶体管功能上完成又一次严重腾跃。英特尔还致力于界说、构建和布置下一代High-NA EUV，有望首先取得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与ASML密切协作，保证这一职业突破性技能取得成功，逾越当时一代EUV。
1、EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）作为首个2.5D嵌入式桥接解决方案将持续引领职业，英特尔自2017年以来一直在出货EMIB产品。Sapphire Rapids将成为选用EMIB批量出货的首个英特尔至强数据中心产品。2、Foveros使用晶圆级封装才能，供给史上首个3D堆叠解决方案，客户端的Meteor Lake将选用Foveros技能。3、Foveros Omni创始了下一代Foveros技能，经过高功能3D堆叠技能为裸片到裸片的互连和模块化规划供给了无约束的灵活性，估计将于2023年用到量产的产品中。4、Foveros Direct完成了向直接铜对铜键合的改变以及低电阻互连，这使得从晶圆制成到封装两者之间的边界不再那么显着，估计也将于2023年用到量产的产品中。
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